・ PATENTIXのGeO₂半導体研究開発に対する各種支援

PATENTIX 　

・ GeO₂半導体に関する技術情報の提供 　

・ GeO₂半導体、GeO₂半導体ウエハ、GeO₂半導体デバイスの共同研究開発 　

・ GeO₂半導体の研究開発 　

・ 当社の半導体製造事業に対する各種支援

※2　GeO₂半導体：(PATENTIX社ホームページより) 

GeO₂は、ルチル構造、α石英構造、CaCl2 タイプ、α-PbO2 タイプ、pyriteタイプの5つの結晶多型をもちます。その中でもルチル構造r-GeO₂ は、4.6eVという巨大なバンドギャップをもち、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論予測されている事から次世代の高性能Normally-off型MOSFET等への応用が期待されています。

■会社概要 

社名：株式会社クオルテック　

代表取締役社長：山口友宏　

本社所在地：大阪府堺市堺区三宝町4丁230番地　

HP：https://www.qualtec.co.jp/ 

事業内容：●電子部品の不良解析・信頼性試験の受託および新技術の開発

　　　　　●品質管理を中心とした工場経営、実装技術に関するコンサルタント

　　　　　●レーザ加工・表面処理（めっき）技術を中心とした微細加工

　　　　　●試験装置の設計・開発・製造・販売 

社名：Patentix株式会社　

代表取締役社長：衣斐豊祐　

本社所在地：滋賀県草津市野路東1丁目1番1号　立命館大学BKCインキュベータ　

HP：https://www.patentix.co.jp/ 

事業内容：新規機能性材料の研究開発、製造販売、各種研究成果の社会実装事業など、持続可能な人類社会の実現を目指し、事業を行う。世界初のシリコンカーバイド上のルチル構造二酸化ゲルマニウム製膜（特許出願済）に成功し、2023年9月に欧州最大の材料学会「E-MRS」においてその成果を発表、注目を集めている。