グローバルメモリ半導体市場で米国のマイクロンと中国YMTCがDRAMとNAND型フラッシュ分野でサムスン電子とSKハイニックスをものすごい勢いで追撃しているという分析が出た。韓国メディア「新素材経済」が報じた。(写真:セミコンコリア2023の記者懇談会でテックインサイツのチェ博士が発表している様子)
1日、ソウルCOEXで開かれた世界的な半導体専門展示会である「セミコンコリア2023」記者懇談会で、テックインサイツのチェ・ジョンドン博士が「2023半導体技術動向」について発表した。
現在、半導体DRAM市場をサムスン電子とSKハイニックス、米国のマイクロンが90%以上を占有している。チェ・ジョンドン博士は「彼らのDRAM主力製品は15ナノメートルから14ナノメートルで生産されているが、最近サムスン電子がマイクロンの開発戦略に遅れを取っているのではないかという感じを受けるほどマイクロンが攻撃的な市場進出をしている」とし「サムスン電子も開発期間を短縮させマイクロンの追撃から逃げてさらに先を進まなければならない」と述べた。
DRAMは半導体工程が微細化するにつれ、セルサイズを縮小したり間隔を減らす方法などに限界があり、各社は超微細工程のためのEUV(極紫外線)装備を導入したり、DRAMを積層する3D DRAM技術の開発に乗り出している。
サムスン電子はファウンドリ(委託生産)事業も行っており、EUV露光装備を導入しており、SKハイニックスも一部ファウンドリ事業を進めてEUV導入が可能だ。反面、マイクロンの場合にはファウンドリビジネスを全くしておらず、2千億ウォン(約212億円)以上の高価なEUV装備を導入する代わりにセルを積み上げる3D DRAMで改善している。
チェ博士は「3D DRAMと関連してマイクロンがサムスン電子とSKハイニックスより2~3倍多い特許を保有している」とし「これはマイクロンが今後EUV工程も採用するが、3D DRAMを持っていこうとする戦略と推測される」と述べた。
NAND型フラッシュ市場ではサムスン電子、SKハイニックス、キオクシア、YMTCなどの企業が競争している。この中でYMTCが頭角を現した。YMTCは2016年に設立された後発企業だが、中国政府の支援を受けて早く競争力を確保している。その結果、昨年は232段製品の量産に成功した。
チェ博士は「サムスン電子(236段)、SKハイニックス(238段)、マイクロン(232段)の200段以上のNANDは市中で手に入らないが、YMTCの232段製品は簡単に買えるほどYMTC技術力が発展している」とし「後発ランナーという限界があったにもかかわらず、米国、欧州で牽制するほどYMTC技術力が急速に成長している」と説明した。
同氏は「YMTCがチップとウェハーを銅で直接連結し配線の長さを最小化するハイブリッドボンディングというパッケージング技術を3D NAND型フラッシュに使用し350段まで積む計画」とし「今年末に他の企業で280~290段のNANDフラッシュ試作品が出てくることもありうるが、こうなれば、2年後には一世代以上先立つこともありうる」と憂慮した。ただ、原価競争力と生産力、NANDの高さが低く、パッケージングで有利な点はサムスン電子がリードしていると付け加えた。
続いて、SEMI市場調査統計部門のイナ・スクボルツォワ・アナリストは、「半導体市場の予測-Fab投資、装備および材料」について発表した。
今年の半導体市場はインフレ、地政学的問題などにより不況が予想されるが、これは短期的であり、2024年に回復するという見通しが提起された。
2022年、全世界の半導体市場は前年比4%成長した5900億ドル(約78兆893億円)を記録したものと分析される。3年連続で成長したが、今年は様々な経済悪材料と地政学的イシューの持続により、半導体業界も不況に見舞われるものと予想される。
2023年の半導体市場の売上規模は平均7%下落した5550億ドル(約73兆4568億円)と予想される。市場調査機関ごとに差があるが、少なくとも-0.2%という評価から-22%という大幅に逆成長するだろうという分析も出た。
今年の半導体装備の売上予測値も前年比16%減の912億ドル(約12兆708億円)を記録するだろうと見込んだ。分野別では△ウェハーファブ装備(WFE)が前年対比17%減少した788億ドル(約10兆4257億円)、△テストおよびAP装備が7.3%減った70億ドル(約9261億円)、△組立・パッケージング装備も13%減少する見通しだ。
今年のDRAMとNAND型フラッシュ半導体装備の売上も前年比それぞれ25%、36%ずつ減少するものと予測した。ファウンドリおよびロジック分野も前年比9%減少するものと予想される。ただ、2024年には半導体装備市場の成長が再開され回復し、17.5%増加した1072億ドル(約14兆1831億円)を予想した。
2021~2023年基準で計84個のファブが世界的に建設されている。2018~2021年基準では64個のファブが建設されたが、当時は建設中のファブ84%(54個)がアジアだったが、現在はアジアの比重が58%(49個)に減った。
一方、米国と欧州内のファブ建設は増加した。米国は3から18に、欧州は7から17に増えた。このような現象に対してスクボルツォワは「米国などの主要国家が半導体サプライチェーン競争力を育てるために自国内投資を強調しており、米国がチップアクトなど色々な法が制定され、このようなトレンドがより一層加速化するものと見られる」と説明した。
スクボルツォワは「半導体市場は最近3年連続成長し、インフレと地政学的問題などで今年は下落するだろうが、半導体産業が約3年にわたる周期性を持っており、今回の逆風は短期的であり、2024年には成長傾向を回復するだろう」と述べた。
参考記事:半導体の回復までどれくらい?…「DRAMは3Q・NANDは4Qかかる」見通し
参考記事:景気低迷で業績不振のSKハイニックス、DDR5で反発するか
参考記事:キオクシアに押されたSKハイニックス…「238段NAND」が救世主になるのか
The post 米中各社、韓国のDRAM・NAND型フラッシュを早いスピードで追撃へ first appeared on コリア・エレクトロニクス.