韓国のファウンドリ大手「DBハイテク」が窒化ガリウム（GaN）とシリコンカーバイド（SiC）ベースのパワー半導体事業を新規に推進する。GaNとSiC半導体は、従来のシリコン（Si）ベースの比電力効率と耐久性に優れた次世代パワー半導体として注目されている製品である。
22日、韓国メディア「ETNEWS」などによると、DBハイテクはGaNとSiCパワー半導体事業化を推進していることがわかった。同社、市場調査とGaN・SiC製造のための設備を検討しているという。早ければ来年にGaNとSiC半導体ラインを構築するとの予想もある。
GaN・SiCベースの半導体は、従来のSiよりも耐久性と電力効率が高い。このため、電気自動車、人工知能（AI）、第5世代（G）移動通信のように、消費電力が多いが安定性が重要な分野を中心に需要が拡大している。
DBハイテクは、電力管理半導体（PMIC）、ディスプレイ駆動チップ（DDI）、イメージセンサー等を委託生産する韓国のファウンドリ企業である。 DBハイテク製造するチップはすべて8インチのシリコンウエハをベースにしている。
提供元・コリア・エレクトロニクス
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