サムスン電子ファウンドリ事業部のチェ・シヨン社長は、今月16日、オンラインで開かれた「VLSI シンポジウム」で「パンデミックの挑戦、技術が答える」というテーマで基調演説を行い、「FinFET(フィンフェット)技術がモバイルシステムオンチップ（SoC・統合チップ）の時代を切り開いたように、MBCFET（マルチブリッジチャンネルトランジスタ）技術は、高性能・低電力・コンピューティング、人工知能、5G(第5世代移動通信)の拡散を加速化し、『データ基盤社会』を切り開くことを期待する」と語った。韓国メディアなども報じた。

MBCFETは、サムスン電子が独自に考案した次世代のトランジスタ工程技術で、紙のように薄くて長い模様のナノシート（Nano Sheet）を積み、トランジスタの性能と電力効率を高める方式だ。サムスン電子によると、この工程は従来7nm（ナノメートル・1nmは10億分の1）FinFETトランジスタより占める空間を約45%減らし、電力50%を節約する。性能が35%改善される効果も享受するものと考えられる。

チェ社長は「サムスンのファウンドリビジョンは、技術競争力を基盤に、顧客に工程・設計の柔軟性を提供すること」とし「どんな挑戦にも対応できる準備ができている」と述べた。

韓国メディアなどによると、米国オハイオ州立大学の電子材料博士号を取得したチェ社長は、サムスン電子で半導体研究所の工程開発チーム長、ファウンドリ製造技術センター長など、主要ポストをくまなく経験してきた。社内では、半導体%工程・製造の専門家とされる。

提供元・コリア・エレクトロニクス

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